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硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析

  • 發(fā)布日期:2023-09-17      瀏覽次數(shù):793
    • 硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析

      在坩堝中熔化多晶硅時(shí)的溫度控制以及晶種后旋轉(zhuǎn)和提拉時(shí)的溫度控制。
      從提升裝置的視口進(jìn)行溫度測(cè)量。

      硅單晶拉制設(shè)備溫度控制示意圖

      單晶硅提拉過(guò)程中的溫度控制。

      目的

      如果多晶硅在坩堝中熔化或提拉的溫度不穩(wěn)定,則難以生產(chǎn)高純度的單晶,質(zhì)量也不穩(wěn)定。
      溫度是單晶化的重要因素,能夠非接觸式測(cè)量的輻射溫度計(jì)極其重要。

      客戶(hù)的要求

      我們希望通過(guò)準(zhǔn)確捕獲熔化溫度來(lái)捕獲結(jié)晶開(kāi)始的點(diǎn)。
      雖然測(cè)量距離往往比較長(zhǎng),但目標(biāo)尺寸必須相對(duì)較小。換句話說(shuō),長(zhǎng)距離需要小光斑類(lèi)型。
      由于環(huán)境溫度很高,因此耐熱溫度越高越好。

      選型要點(diǎn)

      對(duì)于硅的溫度測(cè)量,最好在1.1μm或更小的波長(zhǎng)下測(cè)量溫度,該波長(zhǎng)因溫度而導(dǎo)致的發(fā)射率變化很小。
      FTKX系列和FLHX系列
      適合長(zhǎng)距離和小光斑類(lèi)型(φ0.15~)。光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊,耐熱溫度為150℃,即使在環(huán)境溫度稍高的情況下也能安裝。
      由于頭部是分離型,因此不需要輻射熱對(duì)策。

      選定型號(hào)

      • NEW! 1ms光纖型
        半定制型,可在惡劣環(huán)境和狹窄空間使用。

        光纖式輻射溫度計(jì)FTKX系列

        測(cè)量溫度范圍:100℃~2000℃

        • 纖維類(lèi)型(耐熱/耐磁場(chǎng))

        • 高溫

        • 對(duì)于石英以上

        • 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

        • 用于金屬

      • NEW! 1ms輻射溫度計(jì),其規(guī)格可根據(jù)測(cè)量對(duì)象而改變

        無(wú)纖維輻射溫度計(jì)FLHX系列

        測(cè)量溫度范圍:90℃~2000℃

        • 高溫

        • 對(duì)于石英以上

        • 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

        • 用于金屬


    聯(lián)系方式
    • 電話

    • 傳真

    在線交流
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